![]() 张建福职务:
单位:bevictor伟德官网
电话:
出生年月:
邮箱:101014062@seu.edu.cn
学历:博士
地址:bevictor伟德官网无锡校区
职称:首席教授
个人简介 张建福1982年本科毕业于西安交通大学。1987年获得英国利物浦大学博士学位。1992年, 1996年和2001年分别成为英国利物浦约翰摩尔大学高级讲师,副教授和教授。2004年至2008年受聘于北京大学客座教授。张建福曾在包括IEDM在内的多个国际会议担任评委或组委。 三十多年来,张建福的研究专注于一个领域:小尺寸CMOS器件的质量评估, 建模与EDA。面向工业需求,通过与工业密切合作,其研究方向包括器件老化的机理与寿命预测,随机电报噪音的表征与随机模型,小尺寸器件动态差异化建模,以及CMOS器件测试与表征技术。 经过员工和同事们的共同努力,在IEEE期刊上发表文章80多篇。在期刊或国际会议上发表特邀文章49篇。在IEDM和VLSI Technology Symposium上发表文章21篇。
教育经历
工作经历
讲授课程 1. MOS器件物理,制造与测试 2. 光电信号传输与通信 教学研究 出版物 研究领域或方向 1. 器件老化的机理与寿命预测 2. 随机电报噪音的表征与随机模型 3. 小尺寸器件动态差异化建模 4. CMOS器件测试与表征技术 研究项目 研究成果 研究成果 1) 构建了CMOS器件中各种缺陷的框架,并对各种缺陷的性能进行了划分。 2) 建立了As-grown-Generation(AG) 老化模型,并对其可预测能力进行了验证。 3) 发明了新的测试技术。 例如缺陷能级分布的测试技术;多脉冲放电对不同缺陷划分技术, 纳米尺寸器件老化差异性快速测量技术等。 4) 论证了不同元素,载流子,材料及工艺对CMOS器件中缺陷的影响。 5) 建立了Integral Methodology随机电报噪声模型,并对其可预测能力进行了验证。 6) 发展了基于随机电报噪声的随机数字发生器。 学术贡献 1) 在IEEE 期刊上发表文章80多篇。 2) 在International Electron Devices Meeting (IEDM) 和 VLSI Technology Symposium 上发表文章21篇。 3) 在国际会议,期刊上发表特邀文章49篇。 学术兼职 作为Member of technical program committees, 参与组织以下国际会议: (i) IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), USA。 (ii) IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), USA。 (iii) IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA),Singapore。 (iv) ECS International Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide Thin Insulating Films, and Emerging Dielectrics,USA。 团队介绍 招生情况 欢迎志同道合的同学们加入。 毕业生介绍 |